Samsung revela el primer módulo de memoria DDR5 de 512 GB basado en HKMG de la industria

Samsung acaba de anunciar que ha fabricado el primer módulo de memoria DDR5 de 512 GB del mundo, utilizando la tecnología de proceso High-K Metal Gate (HKMG).

Tenemos una velocidad de 7200Mbps aquí con el módulo DDR5, el doble del rendimiento de DDR4, todo mientras usamos un 13% menos de energía. Samsung dice que su DDR5 tiene menos fugas, más rendimiento y ni siquiera es la primera vez que la compañía trabaja con material HKMG. Samsung usó la tecnología de proceso HKMG en su memoria GDDR6 en 2018.

El nuevo módulo de memoria DDR5 de 512 GB de Samsung utiliza tecnología de silicio a través de (TSV) para apilar 8 chips DRAM de 16 Gb. Al parecer no llegará para PCs comunes en el corto plazo, los primeros destinos de esta tecnología de próxima generación será para centros de datos basados ​​en la nube, grandes sistemas de redes, inteligencia artificial, supercomputadoras, aprendizaje automático y más.

Samsung dice que está probando diferentes variaciones de su nueva memoria DDR5 basada en HKMG con los clientes para verificación y certificación. Comenzará a aparecer en el mundo de las computadoras de escritorio para PC en 2022 más o menos.

Fuente: Tweaktown